快新聞/曹興誠火大了!聽川普稱「台灣偷美國半導體技術」氣炸開嗆:絕非事實

  • 發佈時間:2026/05/21 15:47更新時間:2026/05/21 15:47
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快新聞/曹興誠火大了!聽川普稱「台灣偷美國半導體技術」氣炸開嗆:絕非事實
聯電創辦人曹興誠。(圖/民視新聞資料照)

即時中心/高睿鴻報導

科技產業堪稱台灣重要的經濟命脈,半導體技術更是聞名世界,製作的高端晶片無論品質、市場份額,都讓許多國家又愛又妒。美國總統川普(Donald Trump),甚至就曾多次對此表達不滿,也經常呼籲晶片產線應回流美國;沒想到近日他又老調重彈,宣稱「台灣偷了美國的半導體技術」。對此,聯電公司創辦人曹興誠非常不滿,直接回嗆說「絕非事實」,並呼籲行政院應該公開澄清。

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川普稱「台灣偷了美國的半導體技術」曹興誠怒了!回嗆:非事實、政院應澄清

曹興誠首先指出,美國總統川普訪中(川習會)後,於北京接受福斯新聞(Fox News)接受主播拜爾(Bret Baier)與漢尼提(Sean Hannity)專訪,再度公開指責台灣偷竊美國的半導體技術;「奇怪的是,台灣政府或台積電至今對此全無澄清,失職失能極其嚴重」,他說。

曹興誠爬梳歷史,指出台灣的半導體技術「當初是向美國購買的」,雙方曾於 1976 年3月5日,由工業技術研究院(工研院)代表台灣、與美國RCA公司正式簽署合約,合約為期10年、金額為350 萬美元。其中分為兩個部分:技術移轉費250萬美元、技術授權金100萬美元。

曹興誠強調,當時台灣的國民平均年所得不到400美元,所以在那個年代,這是一筆極為龐大的國家賭注。他續指,政府當年為了整個「積體電路計畫」,總共編列約1000萬美元(約合當時台幣4億)的專案預算,除了支付RCA的350 萬美元技術費,其餘資金用於興建台灣首座3吋晶圓「示範工廠」、以及分批派遣年輕工程師(包括他、史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20餘人),前往美國 RCA 總部接受實地培訓。

他接著說,1976年我國向RCA購買的,是7微米的CMOS技術;而當時美國尖端技術,是3.5微米NMOS技術。曹興誠解釋,我們之所以選擇CMOS,首先是因爲購買CMOS技術的費用便宜;其次是CMOS 較省電,適合用於低階消費性產品,可配合台灣當時消費電子業的發展。

回顧台灣半導體歷史 曹興誠:半導體技術是向美國購買

而曹興誠強調,3吋晶圓廠和7微米技術,可說是非常低微的起步;但工研院電子所這座「示範工廠」,卻示範得相當成功,於是政府決定,由電子所技術移轉給1980年成立的聯華電子公司,另建立4吋晶圓廠,以走向民間和商業化。而為了支付工研院的技術移轉,聯電成立時,則免費對經濟部給出15%技術股。之後,「聯華電子公司在我的帶領下,於1983年就創造每股近7元的淨利,並在1985年成功上市」,他說。

快新聞/曹興誠火大了!聽川普稱「台灣偷美國半導體技術」氣炸開嗆:絕非事實
聯電創辦人曹興誠。(圖/民視新聞資料照)

曹興誠繼續說,受到聯電成功的激勵,1983年政府決定在工研院內,再建一座3微米技術的6吋晶圓示範工廠;投入經費約1億美元、花費4年,研發完成3微米技術,同時培養出約400名工程師。接著1987年,這些工程師全數「轉進」新成立的「台灣積體電路公司」,並回頭「租用」該示範工廠,讓台積電成立的第一天,就擁有3微米的進步技術、以及嶄新的及可以商業化的工廠。

他接著提到,台積電租用工研院「示範工廠」的費用極為低廉,每年僅200萬美金,事先還由經濟部支付台積電700萬美元當成「研發費」,等於讓台積電無償使用「示範工廠」3年半,這就是台積電業務從一開始,就能順利起飛的原因。曹興誠指,台積電以這樣的方式「取得」3微米技術和工廠,而當時張忠謀同時兼任工研院和台積電董事長,當然有「化公為私」的爭議;因此曹興誠表示,他當年就公開提出質疑,要求聯電可以參「租用」的比價競爭,結果遭政府打壓,還差點因此被聯電董事會解聘。

「或許因為如此,台積電對於其技術來源始終避而不談,面對美國一再侮辱台灣偷竊美國技術,台積電也默不作聲」,他說。

而曹興誠也批評,川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術,後果相當嚴重。他表示,除了外交上的不友善,川普也以此為藉口,逼迫台灣去美國設廠,以求拆除台灣的「矽盾」。但曹興誠認為,台灣不宜再悶著頭挨罵,不敢辯駁;並且,也強烈建議行政院、工研院、台積電,針對台灣半導體技術的來源、以及多年來台灣不斷投入鉅額資源、艱苦研發的經過,召開國際記者會詳細說明,以正國際視聽。

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