德國半導體大廠英飛凌（Infineon）宣布將投資11億歐元（約12億美元），在奧地利擴建次世代晶片生產基地，打造全球首座氮化鎵（GaN）高產能製造設施，搶攻人工智慧（AI）浪潮帶動的龐大商機。

高壓電源轉換積體電路廠商 Power Integrations 宣布，旗下 PowiGaN 氮化鎵（GaN）技術額定電壓提升至 2200 V，遠超其他商用 GaN 技術，將為 AI 數據中心、電動車及再生能源等高壓系統提供全新解決方案。

財經中心／綜合報導鴻海科技集團（2317）24號宣布，和Porotech合作發展MicroLED技術後，將共同進軍AR眼鏡市場，更預計在台中建立微型發光二極體晶圓製程產線，估計2025年啟動量產。

感測半導體元件廠台亞半導體今天董事會決議將8吋的氮化鎵（GaN）事業群相關營業包含資產與營業額，分割予台亞半導體持股100%既存子公司冠亞半導體公司承受。

投資台灣再添一案，半導體整體解決方案製造商台亞半導體，將斥資近新台幣90億元在竹科廠房興建無塵室，並增設智慧化產線、導入生產監控數位系統，以深耕氮化鎵化合物半導體的研發與製造，開拓全球市場。

台達電子公司碇基宣布，完成新一輪新台幣4.56億元的增資合約簽訂，獲得力智、日商羅姆（Rohm）、中美晶及台達電入股投資。