中國晶盛機電日前宣布首顆8吋N型第三代半導體碳化矽晶體出爐，加上全球主要大廠布局8吋碳化矽基板腳步積極、競爭激烈，台廠正急起直追拚8吋碳化矽長晶晶圓。

鴻海搶攻第三代半導體碳化矽（SiC）晶圓製造後，再布局關鍵基板製造技術。基板與磊晶占碳化矽成本超過7成，更攸關電動車功率元件性能優劣，深具投資價值，鴻海直取技術關鍵，藉此降低碳化矽元件製造成本。