英特爾公司今日首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑（High NA）EUV。英特爾有望獲得業界首款High NA EUV量產工具。