圖、文／上報全球科技產業正面臨史上最嚴重記憶體短缺！高盛最新報告警告，由於AI伺服器需求暴增，全球記憶體市場正走向近15年來最嚴重供給短缺，預估2026至2027年間，DRAM、NAND及HBM都將出現嚴重供不應求，缺口創下歷史新高。
高盛指出，2026年DRAM供給缺口將擴大至4.9%，2027年仍有2.5%，明顯遠遠高過先前預估，主因在於伺服器用DRAM需求大幅增加，高盛上修需求預測，DRAM（不含HBM）年增率分別達39%與22%。若將HBM納入計算，伺服器相關DRAM需求占全球比重，2026年將達到53%，2027年升至57%。
相較之下，手機與PC端需求明顯降低。高盛下修行動DRAM與PC DRAM需求預估，預期2026年手機DRAM需求成長率僅剩7%，PC僅約5%，主要反映出全球出貨預測下調，以及記憶體價格飆升導致單機容量下降。
在供應方面，高盛指出，主要記憶體廠受限於無塵室空間，中短期內難以大幅擴產。除了三星P4廠、SK海力士M15X產能多數轉向HBM，三星P5與海力士龍仁新廠最快也要到2027年下半年才可能量產，未來兩年供給增幅極為有限。
NAND市場同樣也面臨歷史級最大缺貨。高盛預估，2026、2027年NAND供給缺口分別達4.2%與2.1%，高於之前預測的2.5%/1.2%，為產業歷史上最大的短缺之一。此外，市場企業級SSD需求暴增，2026年需求年增率高達58%，占全球NAND需求比重將升至36%到39%。
HBM方面，高盛上修市場規模預估，將2026、2027年HBM總市場規模從500億、690億美元上調至540億、750億美元，主要反映GPU與ASIC需求加速。其中，ASIC用HBM需求增加，2027年占比上看36%。儘管三星與SK海力士持續擴充HBM產能，但高盛仍預期2026、2027年HBM市場將分別出現5.1%與4%的供給短缺。
高盛重申，看好三星電子與SK海力士，認為在DRAM與HBM供給緊縮下，將是主要受惠者。分析指出，三星2026年營利可望年增逾四倍，ROE上看30%；SK海力士則憑藉AI記憶體優勢，DRAM營運利潤率可望逼近80%，ROE有機會突破70%。
值得注意的是，高盛將美光評等下調至中性，指出理由是「大多數積極因素已經定價」，由於競爭加劇，HBM未來恐面臨價格壓力，2026年可能會緩和；此外，高盛也看好東京電子、Ulvac與Disco等設備商可望受惠記憶體擴產潮。（昨日編輯：卓琦）
