鎧俠第9代3D快閃記憶體樣品出貨　傳輸速度提升33%

這款全新的第9代 BiCS FLASH 1Tb TLC 元件，是基於第8代技術與先進 CMOS 技術，並採用 230 層堆疊製程開發而成。其 NAND 介面傳輸速度高達 4.8Gb/s，相較於第8代產品顯著提升了 33%，效能表現甚至能媲美第10代元件。目前出貨的樣品主要用於功能測試，實際量產規格可能會有所調整。

鎧俠指出，公司持續推動獨特的「雙軸策略」，結合了「CMOS 直接鍵合回饋陣列（CBA）」與「On-Pitch 選擇閘極汲極（OPS）」兩大創新技術。在此策略下，鎧俠同時發展兩大產品線：第9代解決方案旨在以相對較低的投資成本提供高效能，而第10代技術則專注於透過先進的堆疊技術實現超大容量與頂級效能。

鎧俠的前身為東芝記憶體（Toshiba Memory），於 2017 年從 1987 年發明 NAND 快閃記憶體的東芝（Toshiba）獨立。鎧俠致力於透過「記憶」提升世界，其創新的 3D 快閃記憶體技術，正持續形塑智慧型手機、個人電腦、車用系統、數據中心及生成式 AI 系統等高密度應用領域的儲存未來。