AFP 法新社報導
矽谷類比記憶體內運算先驅TetraMem宣布，成功完成全球首款基於多層可變電阻式記憶體技術的12奈米系統單晶片MLX300設計定案，為下一代人工智慧硬體邁向先進製程立下重要里程碑。矽谷晶片新創 TetraMem 宣布，成功完成全球首款基於多層可變電阻式記憶體（RRAM）技術的 12 奈米類比記憶體內運算（A-IMC）系統單晶片（SoC）MLX300 設計定案（tapeout）。該晶片透過新思科技（Synopsys）的雲端電子設計自動化（EDA）解決方案開發，代表這項融合運算與儲存的新架構正式邁向先進製程與量產準備階段。
TetraMem 執行長兼共同創辦人 Glenn Ge 表示，這項架構將記憶體與運算融合，為人工智慧（AI）運算帶來全新模式，並藉由新思科技的雲端工具，成功加速將研究創新轉化為可製造的晶片實體。此前，TetraMem 已在 22 奈米商業製程上完成 MLX200 系列晶片定案，創下 2026 年內兩度達成全光罩設計定案的紀錄。
在晶片規格方面，MLX300 是一款專為音訊、視覺與小型語言模型打造的多功能單晶片加速器，可在無需外接動態隨機存取記憶體（DRAM）存放模型權重的情況下，於晶片內支援多達 6400 萬個 INT4 參數，目標能源效率達 50 至 80 TOPS/W，大幅降低資料傳輸瓶頸並提升每瓦運算效能。
